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MGJ2D121503BSC規(guī)格書詳情
Optimised bipolar output voltages for IGBT/
SiC & Mosfet gate drives
Reinforced insulation to UL62368-1
recognised
ANSI/AAMI ES60601-1, 1 MOPP/2 MOOP’s
recognition pending
5.4kVDC isolation test voltage ‘Hi Pot Test’
Ultra low isolation capacitance
SIP package style
5V, 12V, 15V & 24V inputs
+15V/-3V, +15V/-5V, +15V/-8.7V,
+15V/-15V, +17V/-9V, +18V/-2.5V,
+18V/-5V3, +20V/-3.5V & +20V/-5V outputs
Operation to 105°C
Characterised CMTI >200kV/uS
Continuous barrier withstand voltage
2.4kVDC
Characterised partial discharge performance
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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MURATA(村田) |
23+ |
NA |
20094 |
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MURATA/村田 |
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MURATA/村田 |
2021+ |
SIP |
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MURATA/村田 |
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SIP |
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Murata |
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MURATA/村田 |
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DIP5 |
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MURATA/村田 |
2023+ |
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MURATA/村田 |
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MURATA/村田 |
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MURATA/村田 |
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