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MHT1006N分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MHT1006N
廠商型號(hào)

MHT1006N

參數(shù)屬性

MHT1006N 封裝/外殼為PLD-1.5W;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W

功能描述

RF Power LDMOS Transistor

封裝外殼

PLD-1.5W

文件大小

741.39 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

17 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-12 11:09:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MHT1006NT1

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    管件

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.17GHz

  • 增益:

    21.7dB

  • 功率 - 輸出:

    1.26W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5W

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5W

  • 描述:

    FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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