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MJ11030G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJ11030G
廠商型號(hào)

MJ11030G
參數(shù)屬性

MJ11030G 封裝/外殼為TO-204AE；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN DARL 90V 50A TO204
功能描述

High-Current Complementary Silicon Power Transistors
TRANS NPN DARL 90V 50A TO204
封裝外殼

TO-204AE
文件大小

121.71 Kbytes
頁面數(shù)量

4 頁
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-8 18:10:00

MJ11030G規(guī)格書詳情

MJ11030G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的MJ11030G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MJ11030G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN - 達(dá)林頓

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    3.5V @ 500mA，50A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    2mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    1000 @ 25A，5V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-204AE

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-204（TO-3）

  • 描述：

    TRANS NPN DARL 90V 50A TO204

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
CHINA
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