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MJD210分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

MJD210
廠商型號

MJD210

參數(shù)屬性

MJD210 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 25V 5A DPAK

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

封裝外殼

TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

227.34 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-7 23:05:00

MJD210規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? High DC Current Gain-

: hFE = 70(Min) @ IC= -0.5A

? Low Collector Saturation Voltage-

: VCE(sat) = -0.3V(Max.)@ IC= -0.5 A

? Complement to the NPN MJD200

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Designed for low voltage, low -power ,high-gain audio amplifier applications.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MJD210

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    1.8V @ 1A,5A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    45 @ 2A,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    65MHz

  • 工作溫度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS PNP 25V 5A DPAK

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FSC
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