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MJD45H11分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個規(guī)格書PDF中文資料

MJD45H11
廠商型號

MJD45H11
參數(shù)屬性

MJD45H11 封裝/外殼為TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 80V 8A IPAK
功能描述

isc Silicon PNP Power Transistors
封裝外殼

TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA
文件大小

262.93 Kbytes
頁面數(shù)量

3 頁
生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC【無錫固電】

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2025-5-16 23:00:00
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MJD45H11規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Collector-Emitter Saturation Voltage : VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC = 8A

? Fast Switching Speeds

? Complement to Type MJD44H11

? DPAK for Surface Mount Applications

? Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

? Designed for general pourpose power amplification and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators,converters and power amplifier.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MJD45H11-1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 400mA，8A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    1μA

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    40 @ 4A，1V

  • 頻率 - 躍遷：

    90MHz

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

  • 供應商器件封裝：

    I-PAK

  • 描述：

    TRANS PNP 80V 8A IPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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