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MJD5731

isc Silicon PNP Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- V(BR)CEO=-350V(Min) ·GoodLinearityofhFE ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Foraudioandgeneralpurposeapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

MJD5731

1.0 A，350 V，高電壓，PNP 雙極功率晶體管

The High Voltage Bipolar PNPPower Transistor is designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply drivers and other switching applications.; ? 350 V (Min)Vceo(sus)\n? 1.0 A Rated Collector Current\n? PNP Complement to the MJD47-50 Series\n? These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant\n;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD5731

High Voltage PNP Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD5731

High Voltage PNP Silicon Power Transistors

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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High Voltage PNP Silicon Power Transistors

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD5731_11

High Voltage PNP Silicon Power Transistors

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MJD5731_13

High Voltage PNP Silicon Power Transistors

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MJD5731T4

High Voltage PNP Silicon Power Transistors

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MJD5731T4G

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MJD5731T4G

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技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Polarity：

    PNP

  • Type：

    General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)：

    1

  • IC Cont. (A)：

    1

  • VCEO Min (V)：

    350

  • VEBO (V)：

    5

  • VBE(on) (V)：

    1.5

  • hFE Min：

    30

  • hFE Max：

    175

  • fT Min (MHz)：

    10

  • PTM Max (W)：

    15

  • Package Type：

    DPAK-3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
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TO-252
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一級代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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6000
原裝正品，支持實單
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ON(安森美)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
5000
原廠原裝現(xiàn)貨訂貨價格優(yōu)勢終端BOM表可配單提供樣品
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TO-220-3
50000
ON二三極管全系列在售
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更多MJD5731供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 17:06:00

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