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MJH11018中文資料安森美半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

MJH11018
廠商型號

MJH11018

功能描述

DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

文件大小

193.81 Kbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導(dǎo)體

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-19 17:58:00

MJH11018規(guī)格書詳情

Complementary Darlington Silicon Power Transistors

These devices are designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and motor control applications.

Features

? High DC Current Gain @ 10 Adc — hFE = 400 Min (All Types)

? Collector?Emitter Sustaining Voltage

VCEO(sus) = 150 Vdc (Min) — MJH11018, 17

= 200 Vdc (Min) — MJH11020, 19

= 250 Vdc (Min) — MJH11022, 21

? Low Collector?Emitter Saturation Voltage

VCE(sat) = 1.2 V (Typ) @ IC = 5.0 A

= 1.8 V (Typ) @ IC = 10 A

? Monolithic Construction

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    MJH11018

  • 功能描述:

    達(dá)林頓晶體管 15A 150V Bipolar

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 配置:

    Octal

  • 晶體管極性:

    NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    50 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    集電極—基極電壓

  • 最大直流電集電極電流:

    0.5 A

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    SOIC-18

  • 封裝:

    Reel

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