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MK5811STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）類別：集成電路（IC）時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器描述：IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
NTE5811	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4 Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5811	文件：66.19 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp,DO4 Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5811	文件：24.01 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPowerRectifierDiode,12Amp Description: TheNTE5810,NTE5811,andNTE5870throughNTE5891arelowpowergeneralpurposerectifierdiodesinaDO4typepackagedesignedforbatterychargers,converters,powersupplies,andmachinetoolcontrols. Features: ?HighSurgeCurrentCapability ?HighVoltageAvailable	NTE NTE Electronics	NTE
NTTFS5811NL	文件：258.39 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTTFS5811NLTAG	文件：258.39 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NTTFS5811NLTWG	文件：258.39 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,53A,6.4m廓	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NL	文件：118.55 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NL	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLTAG	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLTAG	文件：118.55 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLTWG	文件：118.55 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,6.7m,40A,SingleN??hannelSmallFootprint MOSFET–Power,SingleN-Channel40V,6.7m,40A Features ?SmallFootprint(3.3x3.3mm)forCompactDesign ?LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses ?LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses ?NVTFS5811NLWF?WettableFlanksProduct ?AEC?Q101QualifiedandPPAPCapable ?TheseDev	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLTWG	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLWFTAG	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
NVTFS5811NLWFTWG	文件：126.57 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
SDR5811CT	文件：318.1 Kbytes Page：2 Pages	12AMPS50-300VOLTS35nsecHYPERFASTCENTERTAPRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SM5811	文件：286.85 Kbytes Page：2 Pages	AVeryHighEfficiency,LowQuiescent2.5ABuck-BoostConverter Features ?InputVoltageRange:2.5Vto5.5V ?OutputVoltageRange:1.8Vto5.5V -withDigitallyProgrammable25mV/steps ?DefaultOutputVoltageSetting -VOUT=3.3VatVREGSEL=Low -VOUT=3.45VatVREGSEL=High ?Upto2.5AMaximumLoadCapability ?HighEfficiencyacrossawideinp	SILICONMITUSSilicon Mitus, Inc. 矽致微電子矽致微電子有限公司	SILICONMITUS
SPD5811	文件：215.86 Kbytes Page：2 Pages	HYPERFASTRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SPD5811	文件：148.94 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPS50-150VOLTS40nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SPD5811ASMS	文件：148.94 Kbytes Page：2 Pages	6.0AMPS50-150VOLTS40nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號(hào)：
MK5811STR
制造商：
Renesas Electronics America Inc
類別：
集成電路（IC） > 時(shí)鐘發(fā)生器，PLL，頻率合成器
包裝：
管件
類型：
時(shí)鐘發(fā)生器
PLL：
是
輸入：
時(shí)鐘，晶體
輸出：
LVCMOS
比率 - 輸入：
1：1
差分 - 輸入：
無(wú)/無(wú)
頻率 - 最大值：
32MHz
分頻器/倍頻器：
無(wú)/是
電壓 - 供電：
3V ~ 3.63V
工作溫度：
0°C ~ 85°C
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商器件封裝：
8-SOIC
描述：
IC CLK GENERATOR LOW EMI 8-SOIC

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	MK5811STR	IDT	23+	SOIC-8	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司	MK5811STR	IDT	18+	SOIC-8	16720	全新原裝現(xiàn)貨,可出樣品,可開(kāi)增值稅發(fā)票	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	MK5811STR	IDT, Integrated Device Technol	24+	8-SOIC	56200	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)
深圳市興燦科技有限公司	MK5811STR	IDT	24+	SOIC-8	25500	授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價(jià)銷售	詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	MK5811STR	IDT	2021+	SOIC-8	100500	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市科雨電子有限公司	MK5811STR	IDT	20+	SOP-8	1001	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問(wèn)購(gòu)元件!	詢價(jià)
深圳市杰順創(chuàng)科技有限公司	MK5811STR	IDT	21+	SOIC-8	4550	全新原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市宇創(chuàng)芯科技有限公司	MK5811STR	IDT	22+	SOIC-8	9600	原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢(shì)供應(yīng),支持實(shí)單!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MK5811STR	IDT	23+	SOIC-8	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	MK5811STR	IDT	22+	8SOIC	9000	原廠渠道,現(xiàn)貨配單	詢價(jià)

更多MK5811STR供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-12 15:36:00

產(chǎn)品屬性

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