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MMBTH24分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMBTH24
廠商型號(hào)

MMBTH24

參數(shù)屬性

MMBTH24 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

功能描述

NPN RF Transistor

封裝外殼

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

36.91 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-29 23:03:00

晶體管資料

  • 型號(hào):

    MMBTH24

  • 別名:

    MMBTH24三極管、MMBTH24晶體管、MMBTH24晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    射頻/高頻放大 (HF)_通用 (G)

  • 封裝形式:

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    NO

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.3

MMBTH24規(guī)格書詳情

NPN General Purpose Amplifier

? This device is designed for common-emitter low noise

amplifier and mixer applications with collector currents

in the 100mA to 20mA range to 300MHz, and low

frequency drift common-base VHF oscillator

applications with high output levels for driving FET

mixers.

? Sourced from process 47.

? See MPSH11 for characteristics.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MMBTH24

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    30V

  • 頻率 - 躍遷:

    400MHz

  • 功率 - 最大值:

    225mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 8mA,10V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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