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MMDF1N05ER2G

Power MOSFET 2 A, 50 V, N-Channel SO-8, Dual

TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on) andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstanding highenergyintheavalancheandcommutationmodesandthe drain?to?sourcediodehasalowreverserecoverytime.Thesedevices aredesignedforuseinlowvoltage

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMDF1N05ER2G

Power MOSFET 1 Amp, 50 Volts N-Channel SO-8, Dual

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MMDF1N05ER2G

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 ?C MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MMDF1N05ER2

PowerMOSFET1Amp,50VoltsN-ChannelSO-8,Dual

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MVDF1N05ER2G

PowerMOSFET2A,50V,N-ChannelSO-8,Dual

TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on) andtruelogiclevelperformance.Theyarecapableofwithstanding highenergyintheavalancheandcommutationmodesandthe drain?to?sourcediodehasalowreverserecoverytime.Thesedevices aredesignedforuseinlowvoltage

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安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MMDF1N05ER2G

  • 功能描述：

    MOSFET NFET SO8D 50V 200mA 300mOhm

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MMDF1N05ER2G供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-14 17:06:00

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