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MMFT6N03HD	文件：74.16 Kbytes Page：4 Pages	TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
IPBH6N03LAG	文件：280.51 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPDH6N03LA	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
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IPDH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPFH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPFH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPSH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPSH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPSH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPUH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor OptiMOS?2Power-Transistor Features ?Idealforhigh-frequencydc/dcconverters ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication ?N-channel,logiclevel ?ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) ?Superiorthermalresistance ?175°Coperatingtemperature ?Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
IPUH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
MMDF6N03HD	文件：236.06 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET6Amps,30Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
MMDF6N03HD	文件：207.39 Kbytes Page：10 Pages	DUALTMOSPOWERMOSFET30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSDualN-ChannelFieldEffectTransistors DualHDTMOSdevicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeaturelowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.DualH	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
PHT6N03LT	文件：53.16 Kbytes Page：6 Pages	TrenchMOStransistorLogiclevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodelogiclevelfield-effectpowertransistorusing’trench’technology.Thedevicehasverylowon-stateresistance.Itisintendedforuseindctodcconvertersandgeneralpurposeswitchingapplications. ThePHT6N03LTissuppliedintheSOT223surfa	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
PHT6N03T	文件：70.3 Kbytes Page：10 Pages	TrenchMOStransistorStandardlevelFET GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technology,thedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintende	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SSM6N03FE	文件：137.69 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType HighSpeedSwitchingApplications AnalogSwitchApplications ?Inputimpedanceishigh.Drivingcurrentisextremelylow. ?CanbedirectlydrivenbyaCMOSdeviceevenatlowvoltagedueto lowgatethresholdvoltage. ?High-speedswitching. ?Housedinaultra-smallpackagewhichissui	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
SSM6N03FE	文件：147.48 Kbytes Page：5 Pages	HighSpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
YFW6N03LI	文件：1.32697 Mbytes Page：5 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑風(fēng)微電子廣東佑風(fēng)微電子有限公司	YFWDIODE

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
MMFT6N03HD
制造商：
MOTOROLA
制造商全稱：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS POWER 6.0 AMPERES 30 VOLTS

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	MMFT6N03HD	UTG	23+	SOT-223	13000	原廠授權(quán)一級(jí)代理,專業(yè)海外優(yōu)勢(shì)訂貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)、品種	詢價(jià)
深圳市鵬和科技有限公司	MMFT6N03HDT3G	ON	24+	SOT223	5000	只做原裝公司現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市華來深電子有限公司	MMFT6N03HDT1G	ON	23+	SOT-223	11846	一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	MMFT6N03HDT1	ON	2020+	SOT-223	80000	只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	MMFT6N03HDT1G	ON	2023+	SOT-223	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	MMFT6N03HDT1G	ON	24+	SOT-223	35200	一級(jí)代理/放心采購(gòu)	詢價(jià)
深圳市澳億芯電子科技有限公司	MMFT6N03HDT1G	ON	08+	SOT-223	2000	普通	詢價(jià)
深圳市仟禧電子有限公司	MMFT6N03HDT1	ON/安森美	22+	SOT-223	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價(jià)
艾睿國(guó)際（香港）有限公司	MMFT6N03HDT3G	ON/安森美	2021+	SOT223	100500	一級(jí)代理專營(yíng)品牌!原裝正品,優(yōu)勢(shì)現(xiàn)貨,長(zhǎng)期排單到貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	MMFT6N03HDT3G	ON/安森美	23+	SOT223	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)

更多MMFT6N03HD供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-10 16:21:00

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