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MML20211HT1

Enhancement Mode pHEMT Technology (E--pHEMT)

EnhancementModepHEMTTechnology(E--pHEMT) LowNoiseAmplifier TheMML20211Hisasingle--stagelownoiseamplifier(LNA)withactivebiasandhighisolationforuseincellularinfrastructureapplications.Itisdesignedforarangeoflownoise,highlinearityapplicationssuchaspicocell,

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MML20211HT1

Low Noise Amplifier

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MML20211HT1

Package：8-VFDFN 裸露焊盤；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：RF/IF，射頻/中頻和 RFID 射頻放大器 描述：IC RF AMP LTE 1.4GHZ-2.8GHZ 8DFN

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產品屬性

  • 產品編號：

    MML20211HT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    RF/IF，射頻/中頻和 RFID > 射頻放大器

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 頻率：

    1.4GHz ~ 2.8GHz

  • P1dB：

    21.3dBm

  • 增益：

    18.6dB

  • 噪聲系數(shù)：

    0.65dB

  • 射頻類型：

    LTE，TDS-CDMA，W-CDMA

  • 電壓 - 供電：

    5V

  • 電流 - 供電：

    60mA

  • 測試頻率：

    2.14GHz

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    8-VFDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    8-DFN（2x2）

  • 描述：

    IC RF AMP LTE 1.4GHZ-2.8GHZ 8DFN

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MML20211HT1供應商 更新時間2025-1-26 17:00:00

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