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MMRF1009H分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MMRF1009H
廠商型號

MMRF1009H

參數(shù)屬性

MMRF1009H 封裝/外殼為NI-780S;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-780S

文件大小

829.61 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-16 17:35:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MMRF1009HSR5

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.03GHz

  • 增益:

    19.7dB

  • 功率 - 輸出:

    500W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S

  • 供應商器件封裝:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 110V 1.03GHZ NI-780S

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