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MMSF60R190QTH

Marking：60R190QS；600V 0.19? N-channel MOSFET

?Description MMSF60R190QispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Itwillprovidemuchhighefficiencybyusing optimizedchargecouplingtechnology.TheseuserfriendlydevicesgiveanadvantageofLowEMIto

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

60R190D

600VCoolGaN?enhancement-modePowerTransistor

Features ?Enhancementmodetransistor–NormallyOFFswitch ?Ultrafastswitching ?Noreverse-recoverycharge ?Capableofreverseconduction ?Lowgatecharge,lowoutputcharge ?Superiorcommutationruggedness ?QualifiedforindustrialapplicationsaccordingtoJEDEC Standards(JESD

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

60R190P

600V0.19(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

BRF60R190

N-CHANNELMOSFETinaTO-220FLPlasticPackage

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

藍(lán)箭電子佛山市藍(lán)箭電子股份有限公司

IPAW60R190CE

600VCoolMOS?CEPowerTransistor

600VCoolMOSaCEPowerTransistor Applications ??PFCstages,hardswitchingPWMstagesandresonantswitchingstages ??fore.g.PCSilverbox,Adapter,LCD&PDPTVandindoorlighting.

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

MMF60R190P

600V0.19(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF60R190PTH

600V0.19(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF60R190PTH

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.19Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MMF60R190Q

600V0.19(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MMF60R190QTH

600V0.19(ohm)N-channelMOSFET

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多MMSF60R190QTH供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-29 16:36:00

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