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MPS6602分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

MPS6602
廠商型號(hào)

MPS6602

參數(shù)屬性

MPS6602 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體;包裝為剪切帶(CT)帶盒(TB);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS NPN 40V 1A TO92

功能描述

NPN (AMPLIFIER TRANSISTOR)

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體

文件大小

30.01 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

1 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Samsung semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Samsung三星

中文名稱

三星半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-19 15:32:00

MPS6602規(guī)格書(shū)詳情

AMPLIFIER TRANSISTOR

? Collector-Emitter Voltage: VCES = 40V

? Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MPS6602

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    剪切帶(CT)帶盒(TB)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    600mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 500mA,1V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-92(TO-226)

  • 描述:

    TRANS NPN 40V 1A TO92

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
22+
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