MRF1150MB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MRF1150MB |
| 參數(shù)屬性 | MRF1150MB 封裝/外殼為332A-03；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 150W 906MHZ-1215MHZ |
| 功能描述 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝外殼 | 332A-03 |
| 文件大小 |
19.41 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
2 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
ASI |
| 中文名稱 | Advanced Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-1-29 17:08:00 |
MRF1150MB規(guī)格書詳情
DESCRIPTION:
The ASI MRF1150MB is Designed for Class B and C, TACAN, IFF, and DME Applications up to 1090 MHz.
FEATURES:
? Class B and C Operation
? Common Base
? PG = 7.8 dB at 150 W/1090 MHz
? Omnigold? Metalization System
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MRF1150MB
- 制造商：
MACOM Technology Solutions
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
70V
- 增益：
9.8dB
- 功率 - 最大值：
150W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
12A
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
332A-03
- 供應(yīng)商器件封裝：
332A-03
- 描述：
TRANS NPN 150W 906MHZ-1215MHZ
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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