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MRF21030LR3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF21030LR3
廠商型號

MRF21030LR3

參數(shù)屬性

MRF21030LR3 封裝/外殼為NI-400;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 2.14GHZ NI-400

功能描述

RF Power Field Effect Transistors

封裝外殼

NI-400

文件大小

579.05 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Motorola, Inc
企業(yè)簡稱

Motorola摩托羅拉

中文名稱

加爾文制造公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-30 11:12:00

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MRF21030LR3規(guī)格書詳情

The RF MOSFET Line

RF Power Field Effect Transistors

N–Channel Enhancement–Mode Lateral MOSFETs

Designed for PCN and PCS base station applications with frequencies from 2.0 to 2.2 GHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB for PCN-PCS/cellular radio and WLL applications.

? Wideband CDMA Performance: -45 dB ACPR @ 4.096 MHz, 28 Volts

Output Power — 3.5 Watts

Power Gain — 14 dB

Efficiency — 15

? High Gain, High Efficiency and High Linearity

? Integrated ESD Protection

? Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

? Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2.11 GHz, 30 Watts CW Output Power

? Excellent Thermal Stability

? Characterized with Series Equivalent Large-Signal Impedance Parameters

? Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.

? In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF21030LR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.14GHz

  • 增益:

    13dB

  • 功率 - 輸出:

    30W

  • 封裝/外殼:

    NI-400

  • 供應商器件封裝:

    NI-400

  • 描述:

    FET RF 65V 2.14GHZ NI-400

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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