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MRF581A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF581A
廠商型號(hào)

MRF581A

參數(shù)屬性

MRF581A 封裝/外殼為微型-X 陶瓷 84C;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

封裝外殼

微型-X 陶瓷 84C

文件大小

282.49 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-25 15:50:00

MRF581A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

Features

? Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

? Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz

? Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

? Cost Effective MacroX Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF581A

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

  • 增益:

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Microsemi
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Microsemi
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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Micro-X 陶瓷(84C)
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全新原裝優(yōu)勢(shì)
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