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MRF581A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MRF581A
廠商型號

MRF581A

參數(shù)屬性

MRF581A 封裝/外殼為微型-X 陶瓷 84C;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

封裝外殼

微型-X 陶瓷 84C

文件大小

99.08 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-25 15:50:00

MRF581A規(guī)格書詳情

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

Features

? Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

? Gain at Optimum Noise Figure = 15.5 dB @ 500 MHz

? Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

? Cost Effective MacroX Package

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF581A

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

  • 增益:

    13dB ~ 15.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1.25W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 50mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    200mA

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    微型-X 陶瓷 84C

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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