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MRF581AG	文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages	RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF581AG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：Macro-X；包裝：卷帶（TR）類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻描述：RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF581G	文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MX581	文件：196.78 Kbytes Page：7 Pages	HighPrecision10VoltReference GeneralDescription Maxim’sMX581isathree-terminal,temperaturecompensated,bandgapvoltagereferencewhichprovidesaprecision10Voutputfromanunregulatedinputof12.5Vto30V.Lasertrimmingisusedtominimizeinitialerrorandtemperaturedrift,toaslowas10mVand15ppm/°Cwiththe	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MX581JCSA	文件：196.78 Kbytes Page：7 Pages	HighPrecision10VoltReference GeneralDescription Maxim’sMX581isathree-terminal,temperaturecompensated,bandgapvoltagereferencewhichprovidesaprecision10Voutputfromanunregulatedinputof12.5Vto30V.Lasertrimmingisusedtominimizeinitialerrorandtemperaturedrift,toaslowas10mVand15ppm/°Cwiththe	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
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MX581KCSA	文件：196.78 Kbytes Page：7 Pages	HighPrecision10VoltReference GeneralDescription Maxim’sMX581isathree-terminal,temperaturecompensated,bandgapvoltagereferencewhichprovidesaprecision10Voutputfromanunregulatedinputof12.5Vto30V.Lasertrimmingisusedtominimizeinitialerrorandtemperaturedrift,toaslowas10mVand15ppm/°Cwiththe	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
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產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
MRF581AG
制造商：
Microsemi Corporation
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
15V
頻率 - 躍遷：
5GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）：
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
增益：
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值：
1.25W
不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
90 @ 50mA，5V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
200mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
Macro-X
供應(yīng)商器件封裝：
Macro-X
描述：
RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價(jià)格
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