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MRF5S19150HR3

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

1930-1990MHz,32WAVG.,28V2xN-CDMALATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFETs DesignedforPCNandPCSbasestationapplicationsatfrequenciesfrom1900to2000MHz.SuitableforTDMA,CDMAandmulticarrieramplifierapplications. ?Typical2-CarrierN-CDMAPerformanceforVDD=28Volts,IDQ=

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF5S19150HR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF5S19150HR3

Package:SOT-957A;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 65V 1.99GHZ NI-880

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF5S19150HR3_08

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF5S19150HR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.99GHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 輸出:

    32W

  • 封裝/外殼:

    SOT-957A

  • 供應商器件封裝:

    NI-880H-2L

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ NI-880

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原廠渠道 可含稅出貨
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更多MRF5S19150HR3供應商 更新時間2025-2-7 16:04:00