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MRF6V10010NR4

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

1090MHz,10W,50VPULSEDLATERALN--CHANNELRFPOWERMOSFET RFPowertransistordesignedforapplicationsoperatingatfrequenciesbetween960and1400MHz,1to20dutycycle.Thisdeviceissuitableforuseinpulsedapplications. ?TypicalPulsedPerformance:VDD=50Volts,IDQ=10mA,P

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6V10010NR4

RF Power Field Effect Transistor

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF6V10010NR4

包裝:托盤 封裝/外殼:PLD-1.5 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6V10010NR4

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.09GHz

  • 增益:

    25dB

  • 功率 - 輸出:

    10W

  • 封裝/外殼:

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    PLD-1.5

  • 描述:

    FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NXP USA Inc.
24+
PLD-1.5
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
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NXP(恩智浦)
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更多MRF6V10010NR4供應(yīng)商 更新時間2025-1-7 22:28:00