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MRF6VP121KHR6

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6VP121KHR6

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MRF6VP121KHR6

Package：NI-1230；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF6VP121KHR6

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    LDMOS（雙）

  • 頻率：

    1.03GHz

  • 增益：

    20dB

  • 功率 - 輸出：

    1000W

  • 封裝/外殼：

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    NI-1230

  • 描述：

    FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230

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更多MRF6VP121KHR6供應(yīng)商 更新時間2025-2-9 15:22:00

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