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MRF6VP121KHSR6

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF6VP121KHSR6

N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

MRF6VP121KHSR6

Package:NI-1230S;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6VP121KHSR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    1.03GHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 輸出:

    1000W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230S

  • 供應商器件封裝:

    NI-1230S

  • 描述:

    FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF6VP121KHSR6供應商 更新時間2025-2-9 14:26:00