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MRF6VP21KHR6

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

10--235MHz,1000W,50VLATERALN--CHANNELBROADBANDRFPOWERMOSFET Designedprimarilyforpulsedwidebandapplicationswithfrequenciesupto235MHz.Deviceisunmatchedandissuitableforuseinindustrial,medicalandscientificapplications. ?TypicalPulsedPerformanceat225MHz:VDD

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP21KHR6

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF6VP21KHR6

Package:NI-1230;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

MRF6VP21KHR6_10

RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    MRF6VP21KHR6

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙)

  • 頻率:

    225MHz

  • 增益:

    24dB

  • 功率 - 輸出:

    1000W

  • 封裝/外殼:

    NI-1230

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-1230

  • 描述:

    FET RF 2CH 110V 225MHZ NI1230

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRF6VP21KHR6供應(yīng)商 更新時間2025-2-9 16:04:00