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MRF7P20040HSR3分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
MRF7P20040HSR3 |
參數(shù)屬性 | MRF7P20040HSR3 封裝/外殼為NI-780S-4L;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 |
功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
封裝外殼 | NI-780S-4L |
文件大小 |
211.43 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
企業(yè)簡稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
中文名稱 | 飛思卡爾半導體官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-10 22:51:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MRF7P20040HSR3
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS(雙)
- 頻率:
2.03GHz
- 增益:
18.2dB
- 功率 - 輸出:
10W
- 封裝/外殼:
NI-780S-4L
- 供應商器件封裝:
NI-780S-4L
- 描述:
FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
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