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MRF7S35120HSR3

RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

3100-3500MHz,120WPEAK,32VPULSEDLATERALN-CHANNELRFPOWERMOSFET Designedforpulsedwidebandapplicationsoperatingatfrequenciesbetween3100and3500MHz. ?TypicalPulsedPerformance:VDD=32Volts,IDQ=150mA,Pout=120WattsPeak(24WattsAvg.),PulsedSignal,f=3500MHz,P

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRF7S35120HSR3

RF Power Field Effect Transistor

Designedforpulsedwidebandapplicationsoperatingatfrequenciesbetween3100and3500MHz. ?TypicalPulsedPerformance:VDD=32Volts,IDQ=150mA, Pout=120WattsPeak(24WattsAvg.),PulsedSignal,f=3500MHz, PulseWidth=100μsec,DutyCycle=20 PowerGain?12dB DrainEffi

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

MRF7S35120HSR3

Package:NI-780S;包裝:卷帶(TR) 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻 描述:FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MRF7S35120HSR3

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    3.1GHz ~ 3.5GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 輸出:

    120W

  • 封裝/外殼:

    NI-780S

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    NI-780S

  • 描述:

    FET RF 65V 3.5GHZ NI-780S

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
FREESCALE
2019+
SMD
6992
原廠渠道 可含稅出貨
詢價(jià)
FREESCALE
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
詢價(jià)
FREESCALE
24+
SMD
1680
FREESCALE專營(yíng)品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價(jià)
NXP
22+
NI780S
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
詢價(jià)
Freescale
NA
5500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢價(jià)
NXP USA Inc.
2022+
NI-780S
38550
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
NXP
23+
NI780S
8000
只做原裝現(xiàn)貨
詢價(jià)
FRS
24+
2
詢價(jià)
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高頻管
155
專營(yíng)高頻管模塊,全新原裝!
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22+
高頻管
350
十七年VIP會(huì)員,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng),一手貨源,原裝正品可零售!
詢價(jià)
更多MRF7S35120HSR3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-13 16:03:00