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MRF8P20140WHSR3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
MRF8P20140WHSR3 |
| 參數(shù)屬性 | MRF8P20140WHSR3 封裝/外殼為NI-780S-4L；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4 |
| 功能描述 | RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs |
| 封裝外殼 | NI-780S-4L |
| 文件大小 |
613 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
15 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Freescale Semiconductor, Inc |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
freescale【飛思卡爾】 |
| 中文名稱 | 飛思卡爾半導(dǎo)體官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-10 14:35:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
MRF8P20140WHSR3
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
LDMOS（雙）
- 頻率：
1.88GHz ~ 1.91GHz
- 增益：
16dB
- 功率 - 輸出：
24W
- 封裝/外殼：
NI-780S-4L
- 供應(yīng)商器件封裝：
NI-780S-4L
- 描述：
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780S-4
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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