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MRF8S23120HSR3

RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導體

MRF8S23120HSR3

Package：NI-780S；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRF8S23120HSR3

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.3GHz

  • 增益：

    16dB

  • 功率 - 輸出：

    28W

  • 封裝/外殼：

    NI-780S

  • 供應商器件封裝：

    NI-780S

  • 描述：

    FET RF 65V 2.3GHZ NI-780S

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更多MRF8S23120HSR3供應商 更新時間2025-4-25 16:20:00

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