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MRFG35003ANT1

Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor

3.5GHz,3W,12VPOWERFETGaAsPHEMT DesignedforWLL/MMDS/BWAorUMTSdriverapplications.Characterizedfrom500to5000MHz.DeviceisunmatchedandissuitableforuseinClassABCustomerPremiseEquipment(CPE)applications. ?TypicalSingle-CarrierW-CDMAPerformance:VDD=12Volts,I

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飛思卡爾飛思卡爾半導(dǎo)體

MRFG35003ANT1

Package：PLD-1.5；包裝：卷帶（TR） 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    MRFG35003ANT1

  • 制造商：

    NXP USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    pHEMT FET

  • 頻率：

    3.55GHz

  • 增益：

    10.8dB

  • 功率 - 輸出：

    3W

  • 封裝/外殼：

    PLD-1.5

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PLD-1.5

  • 描述：

    FET RF 15V 3.55GHZ PLD-1.5

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多MRFG35003ANT1供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 17:13:00

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