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MS1006分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS1006
廠商型號(hào)

MS1006

參數(shù)屬性

MS1006 封裝/外殼為M135;包裝為帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

功能描述

RF AND MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS

封裝外殼

M135

文件大小

104.72 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡稱

ADPOW

中文名稱

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-9 18:26:00

MS1006規(guī)格書詳情

DESCRIPTION:

The MS1006 is a 50 V Class AB epitaxial silicon NPN planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability.

Features

? Optimized for SSB

? 30 MHz

? 50 Volts

? Common Emitter

? Gold Metallization

? POUT = 75 W Min.

? GP = 14 dB Gain

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    MS1006

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    55V

  • 頻率 - 躍遷:

    30MHz

  • 增益:

    14dB

  • 功率 - 最大值:

    127W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    19 @ 1.4A,6V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    3.25A

  • 工作溫度:

    200°C

  • 安裝類型:

    接線柱安裝

  • 封裝/外殼:

    M135

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M135

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
MSKSEMI(美森科)
23+
TO252
6000
誠信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
詢價(jià)
MS/宏晶微
SOT235
893993
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23+
TO-59
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原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢
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MS/宏晶微
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SOT235
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公司進(jìn)口原裝現(xiàn)貨 批量特價(jià)支持
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2021+
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2023
SOT23-6
4726
原廠代理渠道,正品保障
詢價(jià)
Microsemi/美高森美
22+
TO-220
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
詢價(jià)
Microsemi Corporation
2022+
M135
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
詢價(jià)
MICROSEMI/美高森美
23+
TO-220
10000
公司只做原裝正品
詢價(jià)

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