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MS1076分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料

MS1076
廠商型號(hào)

MS1076
參數(shù)屬性

MS1076 封裝/外殼為M174；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174
功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS
RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174
封裝外殼

M174
文件大小

92.35 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Microsemi Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Microsemi【美高森美】

中文名稱

美高森美公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-23 16:00:00
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MS1076規(guī)格書詳情

MS1076屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻。由美高森美公司制造生產(chǎn)的MS1076晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，用于在涉及射頻的設(shè)備中開關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

DESCRIPTION:

The MS1076 is a 28 volt epitaxial NPN silicon planar transistor designed primarily for SSB and VHF communications. This device utilizes an emitter ballasted die geometry for maximum ruggedness and reliability.

Features

? 30 MHz

? 28 VOLTS

? GOLD METALLIZATION

? POUT= 220 W PEP

? GP= 12 dB GAIN MINIMUM

? COMMON EMITTER CONFIGURATION

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    MS1076

  • 制造商：

    Microsemi Corporation

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：

    35V

  • 頻率 - 躍遷：

    30MHz

  • 增益：

    12dB

  • 功率 - 最大值：

    320W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    15 @ 7A，5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：

    16A

  • 工作溫度：

    200°C（TJ）

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    M174

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    M174

  • 描述：

    RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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23+
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8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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