MT3S20P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
MT3S20P |
| 參數(shù)屬性 | MT3S20P 封裝/外殼為TO-243AA；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI |
| 功能描述 | VHF-UHF Band Low-Noise, Low-Distortion Amplifier Applications |
| 封裝外殼 | TO-243AA |
| 文件大小 |
185.16 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
5 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Toshiba Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
TOSHIBA【東芝】 |
| 中文名稱 | 株式會社東芝官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-6-26 10:17:00 |
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產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
MT3S20P(TE12L,F)
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
- 頻率 - 躍遷：
7GHz
- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
1.45dB @ 1GHz
- 增益：
16.5dB
- 功率 - 最大值：
1.8W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
80mA
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-243AA
- 供應(yīng)商器件封裝：
PW-MINI
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/東芝 |
2407+ |
con |
10750 |
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詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
24+ |
SOT-89 |
9600 |
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24+ |
N/A |
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TOSHIBA/東芝 |
25+ |
SOT-89 |
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詢價 | ||
TOSHIBA/東芝 |
20+ |
SOT-89 |
120000 |
原裝正品 可含稅交易 |
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TOSHIBA |
1844+ |
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9852 |
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SK |
23+ |
SOT-89 |
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TOSHIBA/東芝 |
25+ |
SOT-89 |
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TOSHIBA/東芝 |
22+ |
SOT-23F |
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TOSHIBA/東芝 |
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SOT-323 |
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