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MT48LC8M32B2集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
MT48LC8M32B2 |
參數(shù)屬性 | MT48LC8M32B2 封裝/外殼為90-VFBGA;包裝為托盤;類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA |
功能描述 | SYNCHRONOUS DRAM |
封裝外殼 | 90-VFBGA |
文件大小 |
1.20413 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
55 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Micron Technology |
企業(yè)簡稱 |
MICRON【鎂光】 |
中文名稱 | 美國鎂光科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-6-8 22:58:00 |
人工找貨 | MT48LC8M32B2價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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MT48LC8M32B2規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The 256Mb SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 268,435,456-bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the 67,108,864-bit banks is organized as 4,096 rows by 512 columns by 32 bits.
FEATURES
? PC100 functionality
? Fully synchronous; all signals registered on positive edge of system clock
? Internal pipelined operation; column address can be changed every clock cycle
? Internal banks for hiding row access/precharge
? Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page
? Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO PRECHARGE, and Auto Refresh Modes
? Self Refresh Mode
? 64ms, 4,096-cycle refresh (15.6μs/row)
? LVTTL-compatible inputs and outputs
? Single +3.3V ±0.3V power supply
? Supports CAS latency of 1, 2, and 3
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
MT48LC8M32B2B5-7
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
托盤
- 存儲器類型:
易失
- 存儲器格式:
DRAM
- 技術(shù):
SDRAM
- 存儲容量:
256Mb(8M x 32)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字,頁:
14ns
- 電壓 - 供電:
3V ~ 3.6V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
90-VFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
90-VFBGA(8x13)
- 描述:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90VFBGA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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