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MTB15N06V

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.12Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

MTB15N06V

TMOS POWER FET 15 AMPERES

TMOSV?PowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.18OHM TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesth

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTB15N06V

Power Field Effect Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD15N06

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06V

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTS

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTD15N06V

N-Channel60V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

MTD15N06V

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD15N06VL

PowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

MTD15N06VL

TMOSPOWERFET15AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.085OHM

TMOSVPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate TMOSVisanewtechnologydesignedtoachieveanon–resistanceareaproductaboutone–halfthatofstandardMOSFETs.Thisnewtechnologymorethandoublesthepresentcelldensityofour50and6

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    MTB15N06V

  • 制造商：

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述：

    - Bulk

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ON/安森美
21+
TO-263
60000
絕對(duì)原裝正品現(xiàn)貨,假一罰十
 詢價(jià)
onsemi(安森美)
23+
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7793
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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ON
24+
30000
詢價(jià)
ON
23+
TO-263
6893
詢價(jià)
ONSEMICONDU
24+
原廠封裝
5305
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
ON
24+
T0-252
6430
原裝現(xiàn)貨/歡迎來(lái)電咨詢
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ON/安森美
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NA
30000
房間原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣,有單詳談
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ON/安森美
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1853
電子元器件供應(yīng)原裝現(xiàn)貨. 優(yōu)質(zhì)獨(dú)立分銷。原廠核心渠道
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2022+
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更多MTB15N06V供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-18 14:18:00

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