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MTP3N120E

TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate Thisadvancedhigh–voltageTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Thisnewhighenergydevicealsooffersadrain–to–sourcediodewithfastrecoverytime.

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

MTP3N120E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

PTVSHC3N12VU

1-LineHighPowerTVSDiode

Features 5400Wpeakpulsepower(8/20 Lowleakage:nAlevel Lowoperatingvoltage:12V Ultralowclampingvoltage Onepowerlineprotects Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)80A(5/50ns)

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

TPTVSHC3N12VU

1-LineHighPowerTVSDiode

Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:12V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: —|EC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:+30kV Contactdischarge:+30kV —IEC61000-4-5(Lightning)200A(8/20us) RoHSCompliant

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    MTP3N12

  • 制造商：

    MOTOROLA

  • 制造商全稱：

    Motorola, Inc

  • 功能描述：

    TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 1200 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON(安森美)
23+
標準封裝
9571
全新原裝正品/價格優(yōu)惠/質(zhì)量保障
 詢價
ON
2024+
TO-220
32560
原裝優(yōu)勢絕對有貨
 詢價
ON(安森美)
23+
13325
公司只做原裝正品,假一賠十
 詢價
ON
23+
TO-220
5500
現(xiàn)貨,全新原裝
 詢價
ON
23+
TO-220
6893
詢價
MOTOROLA
15+
TO-220
11560
全新原裝,現(xiàn)貨庫存,長期供應
 詢價
MOT
06+
TO-220
800
全新原裝 絕對有貨
 詢價
24+
5000
公司存貨
 詢價
24+
現(xiàn)貨
2866
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
ON
23+
TO220
7780
全新原裝優(yōu)勢
 詢價
更多MTP3N12供應商 更新時間2025-1-27 9:38:00

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