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MUN2130T1 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置 ONSEMI/安森美半導體

MUN2130T1參考圖片

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原廠料號：MUN2130T1品牌：ON/安森美

原廠原包裝。假一罰十。可開13%增值稅發(fā)票。

MUN2130T1是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝NA/TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的MUN2130T1晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置預偏置雙極晶體管具有內(nèi)部電阻器，設計用于在未施加輸入信號的情況下將器件保持在偏置或工作點附近。晶體管偏置可使晶體管更有效地工作，并產(chǎn)生穩(wěn)定、無失真的輸出信號。預偏置晶體管減少了所需的外部電路元器件數(shù)量，從而可降低項目成本。

  • 芯片型號：

    MUN2130T1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    12 頁

  • 文件大?。?/span>

    236.97 kb

  • 資料說明：

    Bias Resistor Transistor

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    MUN2130T1

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類型：

    PNP - 預偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    3 @ 5mA，10V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 300μA，10mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應商器件封裝：

    SC-59

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市鼎欣微電子有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張女士

  • 手機：

    13430686613

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-82719276

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)紅上步工業(yè)區(qū)102棟6004

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