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410

CeleronMProcessoron65nmProcess

IntelIntel Corporation

英特爾

Intel

410

DetectableBuriedBarricadeTapes400Series

3M

3M Electronics

3M

410

Replace“XX”with01through12fornumberofpoles11/16(.688)pitch

MARATHON

Regal Beloit Corporation

NBB-410

BiasSchemeforNBB-SeriesAmplifiers

Introduction RFMD’sNBB-seriesamplifiersaremonolithicintegratedcircuits(ICs)usingInGaP/GaAsHBTtechnology.TheNBB-seriesusesaDarlington-pairtransistorconfigurationwithbiasandfeedbackresistorsproperlyselectedtodeterminethegain,inputandoutputmatchandbias(bothvoltag

RFMDRF Micro Devices

威訊聯(lián)合威訊聯(lián)合半導(dǎo)體(德州)有限公司

RFMD

NDB410A

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription TheseN-channelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,a

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

Fairchild

NDB410A

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC
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更多MW-410供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 8:11:00

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