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NAND01GR3B2BZA6集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
NAND01GR3B2BZA6 |
參數屬性 | NAND01GR3B2BZA6 封裝/外殼為63-TFBGA;包裝為管件;類別為集成電路(IC)的存儲器;產品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA |
功能描述 | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
封裝外殼 | 63-TFBGA |
文件大小 |
631.49 Kbytes |
頁面數量 |
64 頁 |
生產廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網 |
原廠標識 | ![]() |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-3-4 19:09:00 |
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更多產品屬性
- 產品編號:
NAND01GR3B2BZA6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
集成電路(IC) > 存儲器
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術:
閃存 - NAND
- 存儲容量:
1Gb(128M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
30ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
63-TFBGA
- 供應商器件封裝:
63-VFBGA(9x11)
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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