NAND01GW3B2AN6E 集成電路（IC）存儲(chǔ)器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

原廠料號(hào)：NAND01GW3B2AN6E品牌：ST/意法

原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十

NAND01GW3B2AN6E是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝N/48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）的NAND01GW3B2AN6E存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性?xún)煞N，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

• 芯片型號(hào)：

  NAND01GW3B2AN6E

• 規(guī)格書(shū)：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

• 廠商全稱(chēng)：

  STMicroelectronics

• 中文名稱(chēng)：

  意法半導(dǎo)體集團(tuán)

• 資料說(shuō)明：

  閃存 2.7-3.6V 1G(128Mx8)