NAND01GW3B2AN6F 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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廠家型號：
NAND01GW3B2AN6F
產品分類：
集成電路（IC） > 存儲器
生產廠商：
ST
庫存數(shù)量：
19263
產品封裝：
NA
生產批號：
25+23+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-5-14 16:49:00

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詳細信息
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原廠料號：NAND01GW3B2AN6F品牌：ST

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NAND01GW3B2AN6F是集成電路（IC） > 存儲器。制造商ST/STMicroelectronics生產封裝NA/48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）的NAND01GW3B2AN6F存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

芯片型號：
NAND01GW3B2AN6F
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
資料說明：
閃存 NAND 1 GB

產品屬性

類型
描述
產品編號：
NAND01GW3B2AN6F
制造商：
STMicroelectronics
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
閃存
技術：
閃存 - NAND
存儲容量：
1Gb（128M x 8）
存儲器接口：
并聯(lián)
寫周期時間 - 字，頁：
30ns
電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應商器件封裝：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供應商

企業(yè)：
深圳市華斯頓科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
朱先生-余先生-夏小姐-張小姐
手機：
13925279453
詢價：
電話：
0755-83777708/83777607/82799993
傳真：
0755-83355559
地址：
深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓A18室/分公司:深圳市福田區(qū)華強北深紡大廈C座西7樓/市場部:華強北新亞洲電子市場3B047展銷柜

NAND01GW3B2AN6F 集成電路（IC）存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導體

NAND01GW3B2AN6F

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