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NAND01GW3B2CN6E_STMICROELECTRONICS/意法半導體_IC FLASH 1GBIT 48TSOP百諾芯三部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
NAND01GW3B2CN6E
- 功能描述:
IC FLASH 1GBIT 48TSOP
- RoHS:
是
- 類別:
集成電路(IC) >> 存儲器
- 系列:
-
- 產(chǎn)品變化通告:
Product Discontinuation 26/Apr/2010
- 標準包裝:
136
- 系列:
- 格式 -
- 存儲器:
RAM
- 存儲器類型:
SRAM - 同步,DDR II
- 存儲容量:
18M(1M x 18)
- 速度:
200MHz
- 接口:
并聯(lián)
- 電源電壓:
1.7 V ~ 1.9 V
- 工作溫度:
0°C ~ 70°C
- 封裝/外殼:
165-TBGA
- 供應商設備封裝:
165-CABGA(13x15)
- 包裝:
托盤
- 其它名稱:
71P71804S200BQ
供應商
- 企業(yè):
深圳市百諾芯科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
張先生
- 手機:
13267201027
- 詢價:
- 電話:
0755-83796429
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)華強北路1002號賽格廣場2002A
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