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NAND01GW3B2CN6E集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
NAND01GW3B2CN6E |
| 參數(shù)屬性 | NAND01GW3B2CN6E 封裝/外殼為48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝為管件；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
| 功能描述 | 1-Gbit, 2-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, NAND flash memory |
| 封裝外殼 | 48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） |
| 文件大小 |
1.34162 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
60 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | numonyx |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
NUMONYX |
| 中文名稱 | numonyx官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-28 14:55:00 |
| 人工找貨 | NAND01GW3B2CN6E價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào)：
NAND01GW3B2CN6E
- 制造商：
Micron Technology Inc.
- 類別：
集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器
- 包裝：
管件
- 存儲(chǔ)器類型：
非易失
- 存儲(chǔ)器格式：
閃存
- 技術(shù)：
閃存 - NAND
- 存儲(chǔ)容量：
1Gb（128M x 8）
- 存儲(chǔ)器接口：
并聯(lián)
- 寫周期時(shí)間 - 字，頁：
25ns
- 電壓 - 供電：
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
- 供應(yīng)商器件封裝：
48-TSOP
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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