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NAND01GW4B2BZF5E

1-Gbit, 2112-byte/1056-word page, 1.8 V/3 V, single level cell NAND flash memory

Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16

NUMONYX

numonyx

NAND01GW4B2BZF5F

1-Gbit,2112-byte/1056-wordpage,1.8V/3V,singlelevelcellNANDflashmemory

Features ■NANDinterface –x8orx16buswidth –Multiplexedaddress/data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■Supplyvoltage:1.8V/3V ■Pagesize –x8device:(2048+64spare)bytes –x16device:(1024+32spare)words ■Blocksize –x8device:(128K+4Kspare)bytes –x16

NUMONYX

numonyx

NAND512W3A2SZ

MICRON
BGA

MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

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NANO100SD2BN

NUVOTON
LQFP64

NuvotonNuvoton Technology Corporation

新唐科技新唐科技股份有限公司

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NANO102LC2AN

NUVOTON
LQFP48

NuvotonNuvoton Technology Corporation

新唐科技新唐科技股份有限公司

相關(guān)企業(yè):深圳市常芯電子科技有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ST/意法
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BGA
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Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
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153-LFBGA(11.5x13)
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更多NAND01GW4B2BZF5E供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 11:10:00