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NAND02GW3B2DZA6E

2-Gbit, 2112-byte/1056-word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND flash memories

NUMONYX

numonyx

NAND02GW3B2DZA6E

Package：63-TFBGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

NAND02GW3B2DZA6F

2-Gbit,2112-byte/1056-wordpagemultiplanearchitecture,1.8Vor3V,NANDflashmemories

NUMONYX

numonyx

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND02GW3B2DZA6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    管件

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    2Gb（256M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-TFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-VFBGA（9.5x12）

  • 描述：

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
Numonyx
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NUMONYX
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VFBGA63
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原裝正品,自己庫存 假一罰十
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更多NAND02GW3B2DZA6E供應(yīng)商 更新時間2025-6-24 15:08:00

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