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NAND04G-B

512 Mbit, 1 Gbit, 2 Gbit, 4 Gbit, 8 Gbit 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory

FEATURESSUMMARY ■HIGHDENSITYNANDFLASHMEMORIES –Upto8Gbitmemoryarray –Upto64Mbitsparearea –Costeffectivesolutionsformassstorage applications ■NANDINTERFACE –x8orx16buswidth –MultiplexedAddress/Data –Pinoutcompatibilityforalldensities ■SUPPLYVOLTAG

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STMICROELECTRONICS

NAND04G-B2D

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

NUMONYX

numonyx

NUMONYX

NAND256W3A2BN6E

ST
TSOP

ST

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MICRON
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MicronMicron Technology

鎂光美國鎂光科技有限公司

上傳：深圳市拓億芯電子有限公司

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NUVOTON新唐
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NUVOTON新唐

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更多NAND04G-B供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 9:02:00

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