訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>NAND04GW3B2DN6E>芯片詳情
NAND04GW3B2DN6E 集成電路(IC)存儲器 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
NAND04GW3B2DN6E
- 制造商:
Micron Technology Inc.
- 類別:
- 包裝:
管件
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術(shù):
閃存 - NAND
- 存儲容量:
4Gb(512M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
25ns
- 電壓 - 供電:
2.7V ~ 3.6V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 48TSOP
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市華來深電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
朱先生
- 手機:
13751106682
- 詢價:
- 電話:
0755-83238902/15013580756
- 傳真:
0755-83972189
- 地址:
深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門市部:深圳市福田區(qū)華強北路國利大廈新亞洲二期N2B227
相近型號
- NAND01GR3B2CZA6E
- NAND512R3A2DZA6
- NAM12S06-B
- NAND512R3A2DZA6E
- NAM03S06-B
- NAND512R3A2SZA6E
- NA556N
- NAND512W3A2CN6F
- NA556DR
- NAND512W3A2SN6
- NA556DG4
- NAND512W3A2SN6E
- NA556D
- NAND512W3A2SN6F
- NA555S-13
- NAND512W3A2SNXE
- NA555PG4
- NAND512W3A2SZA6E
- NA555PE4
- NANDA9R3N4BZBB5
- NA555P
- NANDA9R3N6CZBB5E
- NA555DR
- NANDAAR4N4AZBA5
- NA555DG4
- NANDBAR4N2AZBA5E
- NA555D
- NANO100KD3BN
- NA24W-K
- NANO100KE3BN
- NA12W-K
- NANO100LC2BN
- NA05QSA065-TE12L
- NANO100LD2BN
- NA05QSA045-TE12L
- NANO100LD3BN
- NA05QSA035-TE12L
- NANO100LE3BN
- NA05HSA12-TE12L
- NANO100NC2BN
- NA05HSA08-TE12L
- NANO100ND2BN
- NA03QSA045-TE12L
- NANO100ND3BN
- NA03HSA12-TE12L
- NANO100NE3BN
- N9H20K51N
- NANO100SC2BN
- N8T23N
- NANO100SD2BN