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NAND08GW3B2CN6E

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

NUMONYX

numonyx

NAND08GW3B2CN6F

4Gbit,8Gbit,2112byte/1056wordpagemultiplanearchitecture,1.8Vor3V,NANDFlashmemories

NUMONYX

numonyx

詳細參數(shù)

  • 型號:

    NAND08GW3B2CN6E

  • 功能描述:

    閃存 NAND & S.MEDIA FLASH

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 數(shù)據(jù)總線寬度:

    1 bit

  • 存儲類型:

    Flash

  • 存儲容量:

    2 MB

  • 結構:

    256 K x 8

  • 接口類型:

    SPI

  • 電源電壓-最大:

    3.6 V

  • 電源電壓-最小:

    2.3 V

  • 最大工作電流:

    15 mA

  • 工作溫度:

    - 40 C to + 85 C

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝:

    Reel

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多NAND08GW3B2CN6E供應商 更新時間2025-4-28 16:05:00