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NAND08GW3C2BN6E

8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NUMONYX

numonyx

NAND08GW3C2BN6E

Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）；包裝：托盤 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

NAND08GW3C2BN6F

8or16Gbit,2112bytepage,3Vsupply,multilevel,multiplane,NANDFlashmemory

NUMONYX

numonyx

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    NAND08GW3C2BN6E

  • 制造商：

    Micron Technology Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    閃存 - NAND

  • 存儲容量：

    8Gb（1G x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    48-TSOP

  • 描述：

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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更多NAND08GW3C2BN6E供應(yīng)商 更新時間2025-6-23 17:32:00

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