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NAND512R3A2CN6F

512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND512R3A2CZA6E

512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND512R3A2CZA6F

512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

NAND512R3A2CZA6E

Package：63-TFBGA；包裝：管件 類別：集成電路（IC） 存儲器 描述：IC FLSH 512MBIT PARALLEL 63VFBGA

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    NAND512R3A2C

  • 功能描述：

    IC FLASH 512MBIT 63VFBGA

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    集成電路(IC) >> 存儲器

  • 系列：

    -

  • 產(chǎn)品變化通告：

    Product Discontinuation 26/Apr/2010

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    136

  • 系列：

    - 格式 -

  • 存儲器：

    RAM

  • 存儲器類型：

    SRAM - 同步，DDR II

  • 存儲容量：

    18M（1M x 18）

  • 速度：

    200MHz

  • 接口：

    并聯(lián)

  • 電源電壓：

    1.7 V ~ 1.9 V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C

  • 封裝/外殼：

    165-TBGA

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    165-CABGA（13x15）

  • 包裝：

    托盤

  • 其它名稱：

    71P71804S200BQ

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多NAND512R3A2C供應(yīng)商 更新時間2025-4-24 15:52:00

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